因良率不达标，三星叫停1d DRAM量产计划，HBM5E或将延误

2026-06-12 12:20:36分类：即时阅读：9

虽然三星电子的因良延误10纳米级第七代DRAM（即1d DRAM）已经完成了预生产批准（PRA）流程，但是率不量产据韩媒《朝鲜日报》报道，三星最终还是达标全国健康新闻网官网叫停了量产计划。

1d DRAM是星叫三星将用于第九代高带宽内存HBM5E的关键芯片，虽然当前的计划1c DRAM覆盖了第六代到第八代内存（HBM4、HBM4E、因良延误HBM5），率不量产工艺也十分成熟。达标但HBM5E需要的星叫全国健康新闻网官网是更强大的性能，用1c DRAM可能会因为物理极限而产生瓶颈，计划所以需要容量更大、因良延误速度更快的率不量产1d DRAM来顶上。

三星在GTC 2026上展示的达标HBM4E

据悉，三星原计划在今年一季度进行1d DRAM的星叫试产，但是计划卡住三星的还是良率这个问题。三星管理层在评估了情况之后，认为工艺难度呈指数型增长，担心良率不及预期将导致投资回报率下降。而且据消息人士补充称，目前也没有客户对1d DRAM表现出意向，所以管理层决定无限期推迟量产。这良率难道要成为继电池之后的第二个“心魔”？